Dacă sunt exploatate, aceste defecte pot permite atacatorilor să obțină acces neautorizat la informații sensibile sau, în general, pot cauza probleme
Recent, un grup de cercetători de la Universitatea din California, Davis, a analizat posibilitatea utilizării Rowhammer (metoda de corupere a biților DRAM) pentru a genera amprente digitale unice.
În timpul analizei lor, aceștia au menționat că au observat că natura distorsiunilor rezultate în urma atacului Rowhammer este unică pentru fiecare instanță a cipului DRAM și nu se modifică în timp. Drept urmare, a fost dezvoltată tehnica Centauri, care permite identificarea sistemelor cu o precizie medie de 99,91%.
Pentru a genera un identificator în Centauri, pur și simplu rulați codul timp de câteva secunde sau minute. Cu prețul unei ușoare scăderi a preciziei (până la 0,64), identificarea poate fi efectuată cu o reducere de 95% a timpului, la aproximativ 9.92 secunde. Cea mai mare precizie se obține atunci când verificarea durează aproximativ trei minute.
Procesul de identificare se desfășoară în trei etape :
- Utilizarea metodei Blacksmith (varianta RowHammer) pentru a determina strategia de protecție (TRR) utilizată în cip împotriva distorsiunii celulelor de memorie
- Executarea codului care duce la distorsiuni
- Determinarea poziției relative și a numărului de condensatoare care au modificat valoarea încărcăturii.
Identificatorul se formează pe baza construirii unei distribuții empirice a probabilității de a schimba sarcina condensatoarelor dintr-un bloc de memorie de 2 megaocteți.
Pentru cei dintre voi care nu sunt conștienți de atacurile clasei RowHammer, ar trebui să știți că acestea vă permit să distorsionați conținutul biților individuali de memorie prin citirea ciclică a datelor din celulele de memorie învecinate.
„Centauri este prima tehnică care demonstrează extragerea amprentelor digitale unice și stabile la cea mai mare scară folosind Rowhammer, depășind în același timp limitările practice impuse de sistemul de operare și de atenuările Rowhammer precum TRR.”
Deoarece DRAM este o matrice bidimensională de celule, fiecare constând dintr-un condensator și un tranzistor, citirea continuă a aceleiași zone de memorie are ca rezultat fluctuații de tensiune și anomalii care provoacă o ușoară pierdere de sarcină în celulele învecinate. Dacă intensitatea citirii este mare, atunci celula vecină poate pierde o cantitate suficient de mare de încărcare, iar următorul ciclu de regenerare nu va avea timp să-și restabilească starea inițială, ceea ce va provoca o modificare a valorii datelor stocate în celulă. .
Procesul de fabricație a cipurilor este eterogen, astfel încât fiecare cip de memorie este unic în structura sa fizică datorită toleranțelor implicate. Aceste variații înseamnă că distribuția probabilității distorsiunii biților cauzată de atacul Rowhammer este, de asemenea, unică pentru fiecare modul de memorie fabricat, ceea ce au exploatat creatorii metodei Centauri.
Mecanismul TRR (Target Row Refresh) utilizat de producătorii de memorie, care protejează împotriva atacurilor Rowhammer prin blocarea distorsiunii celulelor din rândurile adiacente, nu afectează acuratețea identificării prin metoda Centauri.
În termeni practici , metoda poate fi utilizată, de exemplu, pentru a detecta înlocuirea echipamentelor sau pentru a identifica sistemele în care un singur computer se deghizează în mai multe dispozitive diferite. Cu toate acestea, este puțin probabil să se extindă dincolo de domeniul cercetării academice, deoarece utilizarea sa duce la o uzură crescută a cipurilor de memorie și poate provoca defecțiuni ale software-ului din cauza distorsiunilor din conținutul celulelor.
Nu este exclus ca metoda să poată fi adaptată pentru a funcționa într-un browser pentru a identifica vizitatorii site-ului web, folosind ca bază o implementare pre-pregătită a Rowhammer în JavaScript.
Metoda a fost testată pe aproximativ 98 de module DRAM (6 chipset-uri identice de la doi producători). Experimentele repetate efectuate în decurs de 10 zile nu au evidențiat o scădere a preciziei identificării.
În final, dacă sunteți interesați să aflați mai multe, puteți găsi detalii la linkul următor.