英特尔正在努力觉醒,在其路线图中打算制造 7、4 和 3 纳米芯片,以在 2025 年赶上竞争对手

英特尔提出 几天前 你未来四年的路线图, 其中提到 制造基于7nm、4nm和3nm工艺节点的芯片此外,在 2024 年,它将推出其新的芯片制造技术“I0ntel 20A”(20 埃),这将使它能够赶上并重新获得领先地位。

有了它 英特尔加紧行动发起进攻 为了在接下来的四年里赶上竞争对手,这是在去年夏天宣布由于性能困难而不会制造自己的 7nm 芯片之后,但这种情况发生了变化,因为英特尔终于再次掌权并担心几个月(到 2022 年底)第一批芯片应该在 XNUMX 年第一季度开始交付的那一年)。

事实上, 英特尔首次宣布将改变其命名系统 用于芯片制造技术。 现在它将使用简称来与台积电和三星销售其半导体技术的方式保持一致,即越小越好。

作为进入生产市场的一部分,英特尔正在放弃“英特尔 10nm Enhanced Super Fine”等名称,现在 提到它称其处理器为“Intel 7”。

英特尔制造的新处理器预计将具有与台积电相当的密度 和三星的 7nm 节点,并将在 2022 年第一季度准备好生产。重要的是要记住,台湾 OEM 厂商台积电和韩国三星正在交付 5nm 雕刻产品。

英特尔的路线图 更详细地描述了被称为“Angström”时代的后纳米时代根据英特尔的路线图,它将在20年开始生产“英特尔20A”(2024埃)工艺节点,并在2025年初开始在其继任者,即“英特尔18A”节点上工作。

将名称更改为“Intel 20A”而不是“2nm”似乎部分原因是该计算节点将包括 Intel 芯片的主要架构更改。 事实上,该公司多年来一直使用 FinFET 晶体管,但对于 Intel 20A,它将改用称为“RibbonFET”的 GAA(环栅)设计。

GAA 设计允许芯片制造商将多个通道相互堆叠,从而使电流容量成为一个垂直问题并增加芯片密度。 Intel 20A 也将基于“PowerVias”,这是一种新的芯片设计方法,将电源置于芯片背面。

最后, 它制造的处理器中提到了以下内容:

  • 英特尔 7: 由于 FinFET 晶体管的优化,与“英特尔 10nm SuperFin”相比,每瓦性能提高了大约 15-10%。 “Intel 7”将出现在2021年面向客户的Alder Lake和面向数据中心的Sapphire Rapids等产品中,预计2022年第一季度量产。
  • 英特尔 4: 使用 EUV 光刻以非常短的波长光打印小特征。 凭借每瓦性能约 20% 的提升以及占地面积的改进,英特尔 4 将准备在 2022 年下半年投入生产,用于 2023 年交付的产品,包括面向客户的 Meteor Lake 和面向数据的 Granite Rapids中央。
  • 英特尔 3: 它利用新的 FinFET 优化和 EUV 的增加,使每瓦性能比 Intel 18 提高约 4%,并进一步改进表面。 英特尔 3 将在 2023 年下半年用于公司的产品。
  • 英特尔 18A: 除了英特尔 20A,英特尔 18A 已经在 2025 年初开发,并对 RibbonFET 进行了改进。 英特尔还致力于构建高数值孔径(高 NA)EUV 系统。 该公司声称能够获得业界首款高数值孔径 EUV 生产工具。

英特尔有望在未来为高通、亚马逊和其他公司生产芯片。

数据来源: https://www.intel.com

 


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