인텔 발표 몇일 전에 향후 XNUMX년 동안의 로드맵, 그것을 언급하는 곳 7nm, 4nm 및 3nm 공정 노드를 기반으로 칩 제조또한 2024년에는 새로운 칩 제조 기술인 "I0ntel 20A"(20 옹스트롬)를 도입하여 이를 따라잡고 리더십을 되찾을 수 있을 것입니다.
그것으로 인텔은 행동을 강화하여 공세에 나섰습니다. 이는 지난 여름 성능 문제로 인해 자체 7nm 칩을 만들지 않을 것이라고 발표한 후 향후 2022년 동안 경쟁자들을 따라잡기 위해 인텔이 마침내 다시 통제권을 잡고 몇 달에 걸쳐 우려하면서 바뀌었습니다. 첫 번째 칩이 XNUMX년 XNUMX분기에 인도되기 시작해야 하는 해).
사실, 인텔은 처음에 명명 시스템을 변경할 것이라고 발표했습니다. 칩 제조 기술용. 이제 TSMC와 삼성이 반도체 기술을 마케팅하는 방식에 맞춰 짧은 이름을 사용할 것입니다.
생산 시장 진출의 일환으로 Intel은 "Intel 10nm Enhanced Super Fine"과 같은 이름을 삭제하고 있습니다. "인텔 7"과 같은 프로세서를 불렀다고 언급됩니다.
인텔에서 만든 새로운 프로세서는 TSMC와 비슷한 밀도를 가질 것으로 예상됩니다. 및 Samsung의 7nm 노드가 포함되어 있으며 2022년 5분기에 생산 준비가 완료될 예정입니다. 대만 OEM인 TSMC와 한국의 Samsung이 XNUMXnm 각인 제품을 제공하고 있음을 기억하는 것이 중요합니다.
인텔의 로드맵 "Angström" 시대라고 하는 포스트 나노미터 시대를 더 자세히 설명합니다.인텔의 로드맵에 따르면 20년에 "인텔 20A"(2024옹스트롬) 공정 노드 생산을 시작하고 2025년 초에 후속 제품인 "인텔 18A" 노드에서 작업할 예정입니다.
"20nm" 대신 "Intel 2A"로 이름을 변경한 것은 이 컴퓨팅 노드에 Intel 칩의 주요 아키텍처 변경 사항이 포함될 것이라는 사실에 부분적으로 기인한 것으로 보입니다. 사실, 회사는 수년 동안 FinFET 트랜지스터를 사용해 왔지만 Intel 20A의 경우 "RibbonFET"라고 하는 GAA(gate-all-round) 디자인으로 전환할 것입니다.
GAA 설계를 통해 칩 제조업체는 여러 채널을 서로 쌓을 수 있으므로 현재 용량을 수직 문제로 만들고 칩 밀도를 높일 수 있습니다. Intel 20A는 또한 칩 후면에 전원 공급 장치를 배치하는 새로운 칩 설계 방법인 "PowerVias"를 기반으로 합니다.
마지막으로, 제조한 프로세서 중 다음을 언급합니다.
- 인텔 7: FinFET 트랜지스터의 최적화 덕분에 "Intel 10nm SuperFin"에 비해 와트당 성능이 약 15-10% 향상되었습니다. "Intel 7"은 2021년 고객용 Alder Lake와 2022년 XNUMX분기 생산 예정인 데이터 센터용 Sapphire Rapids와 같은 제품에 탑재될 예정입니다.
- 인텔 4: EUV 리소그래피를 사용하여 매우 짧은 파장의 빛으로 작은 특징을 인쇄합니다. 설치 공간 개선과 함께 와트당 성능이 약 20% 증가하여 고객용 Meteor Lake 및 데이터용 Granite Rapids를 포함하여 4년에 제공되는 제품에 대해 Intel 2022는 2023년 하반기에 생산에 들어갈 준비가 됩니다. 센터.
- 인텔 3: 새로운 FinFET 최적화와 EUV의 증가를 활용하여 Intel 18에 비해 와트당 성능이 약 4% 향상되고 추가 표면 개선이 이루어집니다. 인텔 3는 2023년 하반기에 회사 제품에 사용할 수 있습니다.
- 인텔 18A: Intel 20A 외에도 Intel 18A는 RibbonFET을 개선하여 2025년 초에 이미 개발 중입니다. 인텔은 또한 높은 개구수(높은 NA) EUV 시스템을 구축하기 위해 노력하고 있습니다. 이 회사는 업계 최초의 높은 개구수 EUV 생산 도구를 받을 수 있다고 주장합니다.
인텔은 앞으로 퀄컴, 아마존 등을 위한 칩을 만들 예정이다.