Pristatė „Intel“ Prieš kelias dienas savo planą ateinantiems ketveriems metams, kurioje tai pamini gaminti lustus pagal 7, 4 ir 3 nm proceso mazgusBe to, 2024 m. Ji pristatys savo naują mikroschemų gamybos technologiją „I0ntel 20A“ (20 Angstroms), kuri turėtų leisti jai pasivyti ir atgauti lyderystę.
Su tuo „Intel“ pradėjo puolimą sustiprindama savo veiksmus keturis ateinančius metus pasivyti konkurentus, praėjusią vasarą paskelbus, kad dėl našumo sunkumų negamins savo 7 nm mikroschemų, tačiau tai pasikeitė, nes „Intel“ pagaliau vėl ėmė vadovauti ir susirūpino mėnesiais (iki pirmieji lustai turėtų būti pradėti tiekti pirmąjį 2022 m. ketvirtį).
Iš tikrųjų „Intel“ pirmą kartą paskelbė, kad pakeis pavadinimo sistemą lustų gamybos technologijoms. Dabar ji naudos trumpus pavadinimus, kad atitiktų tai, kaip TSMC ir „Samsung“ parduoda savo puslaidininkių technologijas, kur mažesnė yra geresnė.
Įžengdama į gamybos rinką, „Intel“ atsisako tokių pavadinimų kaip „Intel 10nm Enhanced Super Fine“ ir dabar minima, kad savo procesorius jis pavadino „Intel 7“.
Tikimasi, kad naujų „Intel“ procesorių tankis bus panašus į TSMC ir „Samsung“ 7 nm mazgai ir bus paruošti gamybai 2022 m. pirmąjį ketvirtį. Svarbu prisiminti, kad Taivano originalios įrangos gamintojai TSMC ir Pietų Korėjos „Samsung“ tiekia 5 nm graviruotus gaminius.
„Intel“ planas išsamiau apibūdina postnometrinę erą, vadinamą „Angström“ eraRemiantis „Intel“ gairėmis, ji pradės gaminti „Intel 20A“ (20 Angstroms) proceso mazgą 2024 m. Ir 2025 m. Pradžioje pradės kurti savo įpėdinį, ty „Intel 18A“ mazgą.
Atrodo, kad pavadinimą pakeitė į „Intel 20A“, o ne „2nm“, iš dalies dėl to, kad šis skaičiavimo mazgas apims pagrindinius „Intel“ lustų architektūrinius pakeitimus. Tiesą sakant, daugelį metų bendrovė naudojo „FinFET“ tranzistorius, tačiau „Intel 20A“ ji pereis prie GAA („gate-all-around“) dizaino, vadinamo „RibbonFET“.
GAA dizainas leidžia mikroschemų gamintojams sukrauti kelis kanalus vienas ant kito, todėl dabartinė talpa yra vertikali problema ir padidėja lusto tankis. „Intel 20A“ taip pat bus paremtas „PowerVias“ - nauju mikroschemų projektavimo metodu, kuris maitinimo šaltinį įdės į lusto galą.
Galiausiai, iš jo pagamintų procesorių nurodoma:
- „Intel 7“: dėl „FinFET“ tranzistorių optimizavimo, našumas vienam vatui padidėja maždaug 10-15%, palyginti su „Intel 10nm SuperFin“. „Intel 7“ bus gaminamas tokiuose produktuose kaip „Alder Lake“ klientui 2021 m. Ir „Sapphire Rapids“ duomenų centrui, kuris, tikimasi, bus gaminamas pirmąjį 2022 m. Ketvirtį.
- „Intel 4“: naudoja EUV litografiją, kad spausdintų mažas funkcijas su labai trumpo bangos šviesa. Padidinus maždaug 20% našumą vienam vatui ir patobulinus pėdsaką, „Intel 4“ bus pasirengusi pradėti gaminti 2022 m. Antroje pusėje, kai produktai bus pristatyti 2023 m., Įskaitant „Meteor Lake“ klientams ir „Granite Rapids“ duomenims. centre.
- „Intel 3“: Naudojant naujus „FinFET“ optimizavimus ir padidėjusį EUV, galima pasiekti maždaug 18% didesnį našumą vienam vatui, palyginti su „Intel 4“, ir papildomus paviršiaus patobulinimus. „Intel 3“ bendrovės gaminiuose bus galima įsigyti antroje 2023 m. Pusėje.
- „Intel 18A“: Be „Intel 20A“, „Intel 18A“ jau kuriamas 2025 m. Pradžioje, patobulinus „RibbonFET“. „Intel“ taip pat stengiasi sukurti didelės skaitmeninės diafragmos (didelės NA) EUV sistemą. Bendrovė teigia galinti gauti pirmąjį pramonėje didelės skaitmeninės diafragmos EUV gamybos įrankį.
Tikimasi, kad „Intel“ ateityje pagamins lustus „Qualcomm“, „Amazon“ ir kitiems.
Fuente: https://www.intel.com