英特爾提出 幾天前 你未來四年的路線圖， 其中提到 製造基於7nm、4nm和3nm工藝節點的芯片此外，在 2024 年，它將推出其新的芯片製造技術“I0ntel 20A”（20 埃），這將使它能夠趕上並重新獲得領先地位。
有了它 英特爾加緊行動發起進攻 為了在接下來的四年裡趕上競爭對手，這是在去年夏天宣布由於性能困難而不會製造自己的 7nm 芯片之後，但這種情況發生了變化，因為英特爾終於再次掌權並擔心幾個月（到 2022 年底）第一批芯片應該在 XNUMX 年第一季度開始交付的那一年）。
事實上， 英特爾首次宣布將改變其命名系統 用於芯片製造技術。 現在它將使用簡稱來與台積電和三星銷售其半導體技術的方式保持一致，即越小越好。
作為進入生產市場的一部分，英特爾正在放棄“Intel 10nm Enhanced Super Fine”等名稱，現在 提到它稱其處理器為“Intel 7”。
英特爾製造的新處理器預計將具有與台積電相當的密度 和三星的 7nm 節點，並將在 2022 年第一季度準備生產。 重要的是要記住，台灣 OEM 廠商台積電和韓國三星正在交付 5nm 雕刻產品。
英特爾的路線圖 更詳細地描述了被稱為“Angström”時代的後納米時代根據英特爾的路線圖，它將在20年開始生產“英特爾20A”（2024埃）工藝節點，並在2025年初開始在其繼任者，即“英特爾18A”節點上工作。
將名稱更改為“Intel 20A”而不是“2nm”似乎部分原因是該計算節點將包括 Intel 芯片的主要架構更改。 事實上，該公司多年來一直使用 FinFET 晶體管，但對於 Intel 20A，它將改用稱為“RibbonFET”的 GAA（環柵）設計。
GAA 設計允許芯片製造商將多個通道堆疊在一起，從而使電流容量成為一個垂直問題並增加芯片密度。 Intel 20A 也將基於“PowerVias”，這是一種新的芯片設計方法，將電源置於芯片背面。
最後， 它製造的處理器中提到了以下內容：
- 英特爾 7： 由於 FinFET 晶體管的優化，與“英特爾 10nm SuperFin”相比，每瓦性能提高了大約 15-10%。 “Intel 7”將出現在2021年面向客戶的Alder Lake和麵向數據中心的Sapphire Rapids等產品中，預計2022年第一季度量產。
- 英特爾 4： 使用 EUV 光刻以非常短的波長光打印小特徵。 憑藉每瓦性能約 20% 的提升以及佔地面積的改進，英特爾 4 將準備在 2022 年下半年投入生產，用於 2023 年交付的產品，包括面向客戶的 Meteor Lake 和麵向數據的 Granite Rapids中央。
- 英特爾 3： 它利用新的 FinFET 優化和 EUV 的增加，使每瓦性能比 Intel 18 提高約 4%，並進一步改進表面。 英特爾 3 將在 2023 年下半年用於公司的產品。
- 英特爾 18A： 除了英特爾 20A，英特爾 18A 已經在 2025 年初開發，並對 RibbonFET 進行了改進。 英特爾還致力於構建高數值孔徑（高 NA）EUV 系統。 該公司聲稱能夠獲得業界首款高數值孔徑 EUV 生產工具。
英特爾有望在未來為高通、亞馬遜和其他公司生產芯片。